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慈溪市东亿通信设备厂主要生产:144芯光缆交接箱、288芯光缆交接箱、576芯光缆交接箱、光缆接头盒、光纤分纤箱;凭借着高质量的产品,良好的信誉,优质的服务,产品畅销全国.竭诚与国内外商家双赢合作,共同发展,共创辉煌!

    移动12芯终端盒

    更新时间:2021-08-03   浏览数:10
    所属行业:通信 通信测试设备 网络测试设备
    发货地址:浙江省宁波慈溪市  
    产品规格:齐全
    产品数量:22222.00个
    包装说明:中性
    单 价:7.00 元/个
    型号DY456 加工定制 重量2 类型光纤熔接 是否跨境货源 品牌东亿

    移动12芯终端盒半导体光源的应用LED通常和多模光纤耦合,用于1.31um 0.85ym波长的小容量、短距离的光通信系统。因为LED发光面积和光束辐射角较大,而多模光纤具有较大的芯径和数值孔径,有利于提高耦合效率,增加入纤功率。LD通常和单模光纤耦合,用于1.31um155大容量、统在国内、国际都得到较广泛的应用。泛的,)主要也和单模光纤或特殊设计的单模光纤精合,用 分布反惯半导体激光(DFrI 这是目前光纤通信发展的主要趋势。综上所述,可以得出结论:要构成一个激光器,必须具备3个部分:工作物质、泵浦源和光学谐振腔。工作物质在泵浦源的作用下产生粒子数反转分布,成为激活物质,从而具有光的放大作用,激活物质和光学谐振腔是产生激光振荡的必要条件。

    移动12芯终端盒细节图片

    移动12芯终端盒简介

    3.1.5发光二极管在光纤通信中使用的光源,除了半导体激光器(LD)以外,还有半导体发极管(LED)LED是光纤通信中.种重要的光源,它广泛应用于中、低速短距离光纤通信系统中。发光二极管(LED)是非相干光源,是无阅值器件,它的基本工作原理是自发辐射。发光二极管与半导体激光器在材料、异质结构上没有很大差别。二者的差别是:发光二极管没有光学请条腔,不能形成激光。发光根管的发光仅有于自发辐时,所发出的是卖元是非相干光,由于不是激光振苦,所以没有调值。3.1.4量子阱 半导体激光器服子四半号体激光器与般双外质派光器类似, 只是有源区的厚度很薄,如图3.9所示。这种激光器有源区的厚度。很薄的GaAs有源层夹在两层很宽的AIGRAS之间,因此,它是属于双异质结器件。

      

    移动12芯终端盒内部结构

    边发光型LED发光的方向性比面发光型LED.与光纤的精合效丰较高, 发光亮度也高,但其发光面积小,所以输出的光功事只比面发光型LED稍高些。为了加大入纤的光能量,LED必须做成高亮度的光源。因此,LED的驱动电流比LD的高。a 3. LED的工作特性(1)光谱特性LED发射的是自发辐射光,没有谐振腔对波长进行选择,谱线宽度比LD要宽得多。讲线宽度对系统性能有很大的影响,谱宽i越大,与波长相关的色散就越大, 系统所能传输的信号速率就越低。一般短波长GaAlAs-GaAs LED谱线宽度30~ S50nm,长波长InGaAsP-InP LED谱线宽度i60~ 120m.3-11所示是InGaAsPLED的输出光谱。发光光谱随着温度升高或驱动电流加大,谱线加宽,且峰值波长向长波长方向移动。

     

    移动12芯终端盒主要特点

    输出光功率特性由于LED是无阅值器件,加上电流后,即有光输出,且随着注入电流的增加,输出光功率近似呈线性地增加。因此,在进行调制时,其动态范围大,信号失真小,较适用于模拟 通信。两种类型发光二极管的输出光功率特性如图3-12所示。驱动电流I较小时,P-1 曲线的线性较好:1过大时,由于P-N结发热而产生饱和现象,使P-I曲线的斜率减小。在通 常工作条件下,LED工作电流为50~ 100mA,输出光功率为儿mW,由于光束辐射角大,入纤光功率只有几百pW. LED 的结构和LD相似,大多采用双异质结芯片, 把有源层来在方式的不同, LEDDED没有解理面,即没有光学请振腔。按照器件输出光力式计光对LED间,不同的爱的的种,面发光型LED输出的光東方向垂直于有源区:边发元为面发光型和边发先学高种: ." 其抵构如图3.10所示输出的光東方向平行于有源区,面发光型LED是在电极部分开孔,光通过透明窗口自孔中射出,发光面般为35 -75um大小与多模光纤芯径差不多,为了提高与光纤的耦合效率,大多采用透镜。

      

    移动12芯终端盒操作说明

    目前,能较好地满足这些要求的是由半导体材科做成的光电检测器。光电检测器有两种类 :一种是PIN光电极管(PIN-PD), 另种是雪崩光电极管(APD). PINPD主要应用 于短距离、小容量的光纤通信系统中: APD主要应用于长距离、大容量的光纤通信系统中。光电检测器由半导体材料PN结组成,是利用半导体材料的光电效应实现光电转换的。下面先介绍半导体材料的光电效应,在此基础上介绍PIN-PDAPD的结构及特性。半导体材料的光电效应是指光照射到半导体的P-N结上,或等于半导体材料的禁带宽度E。时,则占据低能级(价带)的电子吸收光子带到达较高能级(导带),在导带中出现光电子,在价带中出现光空穴,即光电子-光空穴 对,又称光生载流子,如图3-13 (a)所示。这种现象称为半导体的光电效应。



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